最新消息，美国加州公告指出中国最大3D NAND Flash厂商长江存储，正向控告美国存储芯片龙头美光（Micron）及其全资子公司美光消费产品集团，侵犯长江存储8 项3D NAND 美国专利。
根据长江存储的起诉书内容指出，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得市占率，诉讼是为终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新，并解决美光试图迫使长江存储退出3D NAND Flash 市场的问题。
据悉，这次提告的专利侵权，包括US10,950,623（3D NAND 存储器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维存储器件的直通阵列接触,TAC）、US10,937,806 （3D 存储器件的直通阵列接触,TAC）、US10,861,872（3D存储器件及其形成方法）、US11,468,957（NAND 存储器操作的体系结构和方法）、US11 ,600,342（3D 维快闪存储器的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠3D 存储器件及其制造方法）。
随着近年3D NAND 技术堆叠到128 层或以上，周边CMOS 电路所占据的芯片面积或将达到50% 以上，因此长江存储在2018 年推出自研的创新Xtacking 技术，长江存储的起诉书内容指出，美光的96 层、128 层、176 层及232 层3D NAND 侵害长江存储8 项专利。
有评论认为，由于美国商业部自2022 年10 月开始，这一年来不断扩大对中国芯片及设备的出口管制措施，并将长江存储等36 家企业列入「实体清单」，这次控告美光专利侵权可以说是长江存储所做出的必要反击。
课程主题
1.半导体芯片光刻工艺材料技术与品质管制
2.先进半导体湿化学品工艺与制造
3.镀金和其他特色金属电镀工艺在先进封装制程中的应用和管控
培训讲师
康文兵博士
个人介绍
1983年华东理工毕业后留学日本名古屋工业大学于1990年3月获得博士学位。1993年4月-2013年9月在日本安智电子材料(现为德国默克公司)先后任职研发部长，质保部长及产品总监。主要从事于OLED，芯片及显示器制造用光刻胶，抗反射膜材料，光刻胶形貌处理材料，聚硅氮烷等涂膜型绝缘材料的研发及工业化。
2013年底回国创业目标打造光刻胶关键材料产业链。2018年9月作为博士生导师加入山东大学进行先端光刻及涂膜型材料的机理及应用技术方面的研究。研究方向包含材料之间的纳米级相互作用机理解析及应用，涂膜型功能材料的研发及其应用研发，感光材料的研发及应用。
并独自以及合作创立山东倍晶新材料，大晶信息化学品等进行光刻关键原料的产业化以及光刻胶和周边材料的研发和量产。为行业的发展做贡献。
袁明军博士
个人介绍
长期从事半导体制造和芯片封装用电子化学材料的开发与应用，并负责产品推广和技术服务等工作。2010年毕业于新加坡南洋理工大学，获得金属有机化学专业博士学位。目前任职新加坡忆恩科技(EMK Technologies)总监，广东光华科学技术研究院首席科学家。曾先后担任新加坡星科金鹏高级工艺工程师，新加坡忆恩科技研发首席工程师和产品经理，广东光华科技新材料新技术中心总监。
产品包括：通用酸、碱、有机溶剂，以及显影、退膜、金属蚀刻、清洗、电镀(Cu/Sn)、切割等客制化配方产品。客户包括：新加坡格罗方德(GF)、SSMC、联电(UMC)、X-Fab、Silterra、AMS、Stats ChipPAC(新加坡长电)、德州仪器(TI)、Skyworks、Utac、Unisem等东南亚知名半导体制造厂和封装厂。
陈震军专家
个人介绍
1999年从哈尔滨工程大学电化学专业毕业以后，一直从事常规电子行业、半导体封装行业的电子材料的开发、销售和技术支持，主要涉及电镀工艺、蚀刻和清洗工艺等。
目前任职于得力（Technic）（中国-相关）有限公司，担任半导体部门高级经理。
曾先后担任华晶利达电子有限公司技术质量部部长，罗门哈斯电子材料连接器和引线框架行业华东区经理。
产品包括: 电镀工艺、蚀刻剂、清洗剂、剥离剂，实时在线分析仪器。
客户包括: Qorvo ， Infineon ，STSkyworks，Amkor，NXP及国内主要的封装公司。