大话芯片1月29日消息，SK海力士决定将无锡工厂转换为第四代DRAM（1a）生产线，该生产战略备受关注。1a工艺被称为14纳米工艺，需要用于超微电路的极紫外线（EUV）光刻机设备。但由于美国政策原因，EUV设备无法运抵中国。
据业界于1月29日透露，SK海力士决定在韩国进行在无锡工厂生产1a DRAM时所需的EUV工艺。
由于无法在中国搭建EUV设备，实现微电路所需的EUV工艺将在韩国完成，其余工作将在无锡完成并上市。
SK海力士于1月25日在第四季度业绩说明会上表示：“无锡Fab（工厂）最终将通过1a转换，最大限度地延长DDR5、LPDDR5等产品的使用时间。”但没有说明具体的方式，据了解，SK海力士选择了韩国和中国Fab并行使用的方式。
据分析，这是SK海力士在中美半导体博弈中找到的苦肉计。一般情况下，半导体将在中国安装EUV光刻机，用于量产。2021年开始量产的第四代DRAM目前是SK海力士的主力产品，为了批量生产和确保收益性，需要在中国国内生产。
但由于中国无锡工厂被美国限制进口EUV设备，在当地批量生产第四代DRAM是不可能的。因为独家供应EUV光刻机设备的ASML被美国限制向中国出口设备。
美国2022年禁止向中国销售用于生产△18纳米（nm）以下DRAM△128曾以上NAND△16纳米以下系统半导体（逻辑）的尖端半导体设备。SK海力士被美国指定为“经验证的最终用户（VEU）”，允许进口出口管制产品，但EUV设备仍受到限制。
据分析，SK海力士在应对第四代DRAM需求扩大的同时，为了提高中国无锡工厂的利用率，采取了转运晶片的战略。即，先在中国无锡投入晶片，完成必要的工作后，将其带回韩国，经过EUV工艺，再在无锡作为最终产品出货。
据悉，虽然走上不容易的制造阶段，运送对外部污染敏感的半导体晶片并不容易，但SK海力士2013年在无锡工厂火灾导致半导体量产困难时使用了这种方式，所以选择了这种方式。据悉，虽然航空运输带来物流费负担，但1a工程适用带来的产品附加价值上升部分更大，收益性更充分。半导体业界相关人士预测说：“SK海力士为了顺利运送晶片，可以安排包机等专门航班。”
这是因为无锡工厂的重要性。负责SK海力士全体DRAM生产的约40%，其战略是以生产高附加值产品代替收益性逐渐下降的2~3代（1y~1z），改善收益。SK海力士坚持“选择和集中”战略，培养对利润高的高附加值产品的生产能力，减少旧产品的生产比重。
但这种战略也很难从12纳米水平的第五代DRAM（1b）开始适用。因为第五代DRAM的EUV工程更加复杂。据悉，EUV工程阶段较多，与其往返于中国和韩国进行工艺，不如在一个地方从头到尾进行（端到端）整个工艺。
业界一位相关人士表示：“无锡工厂1a转换部分消除了中国Fab应用的不确定性，但从1b等长期角度来看，需要制定追加应用措施战略。”