预计美国政府将对三星电子和SK海力士等韩国半导体企业运营的中国国内生产工厂实施无一例外的制裁。也就是说，暂时获得制裁豁免特权的两家企业也将无法引进尖端半导体设备或进行工程升级。目前，三星电子和SK海力士分别在西安和无锡、大连等地运营NAND闪存和DRAM工厂。
随着美国政府对中国半导体的制裁，今后三星电子和SK海力士中国工厂将无法正常运营，因此正在考虑制定应对措施。特别是依赖无锡工厂一半DRAM产量的SK海力士预计将受到打击。据悉，如果中国工厂的运营出现差池，正在研究将设备转移到韩国利川、清州等地或追加投资设备的方案。
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美国政府不顾史无前例的游说……“什么都行不通”
此前，美国商务部去年10月宣布，将控制在中国国内生产的8纳米以下DRAM和128层以上NAND闪存芯片、16纳米以下逻辑芯片技术和生产设备的出口，并对在中国当地设有生产基地的跨国企业获得单项许可。三星电子和SK海力士曾全面允许出口一年，韩国政府和两家企业目前一直要求延长半导体出口管制延期。
但前一天，美国商务部在韩美经济安全论坛上向三星电子和SK海力士提供的对华半导体出口管制延期一年结束后表示：“很有可能对企业生产的半导体水平进行限制。”也就是说，将中断此前例外地给予韩国企业的特惠，并提出明确的指导方针。
实际上，尽管三星电子、SK海力士一直在以美国政府和国会为对象进行史无前例的游说，但美国当局的立场丝毫没有动摇。三星电子高层相关人士解释说：“虽然动用了在合法范围内可以采取的所有手段，但气氛却完全行不通。美国政府、议会阻止中国半导体产业尖端化的方针过于稳固。”02
运营、出售、逃离都很困难……三星、SK海力士“四面楚歌”
美国政府“将限制企业生产的半导体水平”的回答意味着，事实上无法引进最高端存储器半导体微细工程所需的极紫外线（EUV）、露天设备等最尖端设备，对现有设备的维护和维修也将受到影响。三星和海力士为了避免其中国工厂的落后或孤立，只能考虑脱华方案。
燃眉之急首先是SK海力士。因为公司最大的销售品种DRAM，其中占产量约50%的无锡工厂的生产效率越差，对公司的销售额、营业利润就会造成不小的打击。半导体业界相关人士表示：“SK海力士方面的打击比三星大的原因是DRAM的结构特点。DRAM的工艺节点越落后一、两代，生产效率差距就越大，20~30%以上。”“为了降低生产单价，无锡工厂的生产能力多年来一直在扩大，但随着时间的推移，无锡工厂的生产效率必然会下降，这与三星、美光等竞争对手相比，成本竞争力将变得不利。”
SK海力士从英特尔收购的Solidaim在中国大连NAND闪存工厂也成为了麻烦。目前，该工厂的3D NAND工程比SK海力士的韩国清州M15、M11工厂等落后，因此急需更换设备。据SK海力士内部相关人士透露，目前该工厂的开工率大幅下降，月均晶片（半导体原板）投入量也从原来的8-9万张水平下调了部分。
生产NAND闪存的三星电子西安工厂也不能掉以轻心。目前，中国西安工厂落后韩国1~2代的V6工程（第6代工程）生产3D NAND Flash。以最大的3D NAND Flash生产地韩国平泽工厂为例，去年稳定了双堆栈（将单元格堆叠成两段后粘贴的方式）技术，突破了200段，但根据美国的制裁，西安工厂实际上不可能引进双堆栈技术本身。与通过稳定双栈技术而毫无顾忌地突破200段大关的美光、Kioxia、SK海力士相比，NAND Flash业务的生产效率必然会大幅恶化。
另外，SK海力士在去年第三季度业绩电话会议上提到的“最坏情况应对措施”——在中国当地出售设备也并非易事。世界最大的二手半导体设备平台公司Surplus Global的代表金正雄解释说：“目前正在运营的设备大部分都挂在美国的制裁项目上。出售工作本身可能无法进行，将设备转移到韩国也需要当局的许可问题，因此可能会成为持久战。”