AI芯片H100的热度还没过，芯片巨头英伟达（Nasdaq：NVDA）又打出一张新王牌——H100的升级版。
当地时间11月13日，英伟达正式宣布，在目前最强AI（人工智能）芯片H100的基础上进行一次大升级，发布新一代H200芯片。H200拥有141GB的内存、4.8TB/秒的带宽，并将与H100相互兼容，在推理速度上几乎达到了H100的两倍。H200预计将于明年二季度开始交付，英伟达尚未公布其价格。
英伟达还透露，下一代Blackwell B100 GPU也将在2024年推出，性能已经“望不到头”。
英伟达预计在2024年推出H200和B100两款芯片。来源：英伟达官网
与作为前辈的A100和H100相比，H200最大的变化就是内存。搭载“世界上最快的内存”HBM3e技术的H200在性能上得到了直接提升，141GB的内存几乎是A100和H100最高80GB内存的2倍，4.8TB每秒的带宽则达到了A100的2.4倍，也显著高于H100 3.35TB每秒的带宽。
英伟达表示，根据使用Meta的70B大模型Llama 2进行的测试，H200的输出速度几乎是H100的两倍。基于与H100相同的Hopper架构，H200将具有H100的一切功能，例如可以用来加速基于Transformer架构搭建的深度学习模型的Transformer Engine功能。
根据官方发布的图片，H200在大模型Llama 2、GPT-3.5的输出速度上分别是H100的1.9倍和1.6倍，在高性能计算HPC方面的速度更是达到了双核x86 CPU的110倍。
来源：英伟达官网
英伟达加速计算总经理兼副总裁伊恩·巴克 （Ian Buck）表示：“要利用生成式AI和高性能计算HPC来构建智能，需要利用大容量、超高速的GPU内存来高速快速地处理大量数据。英伟达H200将为业界领先的端到端AI超级计算平台进一步加速，以解决一些世界上最重要的挑战。”
从今年年初起，英伟达股价已经上涨了超230%，截至11月14日，公司总市值达到1.2万亿美元。当天，英伟达股价在H200发布后一度涨超490美元，全日收于486.2美元，涨0.59%，盘后涨0.3%，股价实现九连涨。
美国知名经济评论员吉姆·克雷默（Jim Cramer）表示，英伟达最新的高端芯片可能会为其股价提供推动力，帮助其在生成式AI热潮中进一步上涨。
此前，根据瑞杰金融（Raymond James）统计的数据，H100芯片的价格已经到达了25000美元到40000美元之间，而一个AI训练过程需要数千个这样的芯片协同工作。在当下的AI热潮中，这也使得H100成为了硅谷最抢手的“硬通货”。
科技网站The Verge表示，最关键的问题在于英伟达能否为市场提供足够的H200，或者它们是否会像H100一样在供应量上受到限制。而对于这点，英伟达并没有给出明确的答案，只表示公司正在与“全球系统制造商和云服务提供商”合作来供应这些芯片，亚马逊、谷歌、微软和甲骨文等云服务商将是明年二季度首批使用H200的公司之一。
另外，英伟达竞争对手AMD已经在英伟达之前抢先推出了最新AI芯片MI300X，高达192GB的HBM3内存，5.2TB/秒带宽。此前，AMD表示，公司正在今年第三季度向客户提供样品，产量将在第四季增加。预计AMD将在北京时间12月7日凌晨举办的“Advancing AI”特别活动上正式发布MI300X GPU。
值得一提的是，此前有消息称，英伟达已开发出针对中国市场的最新改良版系列芯片——HGX H20、L20 PCle和L2 PCle。知情人士称这三款芯片由H100改良而来，英伟达最快或将于本月16号之后公布。澎湃新闻记者采访了多位产业链人士，均证实英伟达改良版芯片属实。英伟达官方尚未对此作出评论。
今年10月17日， 美国商务部工业和安全局（BIS）发布了针对芯片的出口管制新规，尤其是对高算力的AI芯片进行了更严格的管控。其中一个很重要的新规定就是调整了先进计算芯片受限的标准，设置了新的“性能密度阈值”来作为参数。
10月31日，中国贸促会新闻发言人张鑫表示，美方新发布的对华半导体出口管制规则，进一步加严了人工智能相关芯片、半导体制造设备对华出口的限制，并将多家中国实体列入出口管制“实体清单”。美国这些措施严重违反了市场经济原则和国际经贸规则，加剧了全球半导体供应链撕裂与碎片化风险。美国自2022年下半年开始实施的对华芯片出口禁令正在深刻改变全球供需，造成2023年芯片供应失衡，影响了世界芯片产业格局，损害了包括中国企业在内的各国企业的利益。
英伟达将于美国时间11月21日盘后发布2023财年第三财季财报。根据美国投资研究公司Zacks Investment Research的数据，预计调整后的每股收益（EPS）将达到3.01美元，去年同期为0.34美元。
课程主题
1.半导体芯片光刻工艺材料技术与品质管制
2.先进半导体湿化学品工艺与制造
3.镀金和其他特色金属电镀工艺在先进封装制程中的应用和管控
培训讲师
康文兵博士
个人介绍
1983年华东理工毕业后留学日本名古屋工业大学于1990年3月获得博士学位。1993年4月-2013年9月在日本安智电子材料(现为德国默克公司)先后任职研发部长，质保部长及产品总监。主要从事于OLED，芯片及显示器制造用光刻胶，抗反射膜材料，光刻胶形貌处理材料，聚硅氮烷等涂膜型绝缘材料的研发及工业化。
2013年底回国创业目标打造光刻胶关键材料产业链。2018年9月作为博士生导师加入山东大学进行先端光刻及涂膜型材料的机理及应用技术方面的研究。研究方向包含材料之间的纳米级相互作用机理解析及应用，涂膜型功能材料的研发及其应用研发，感光材料的研发及应用。
并独自以及合作创立山东倍晶新材料，大晶信息化学品等进行光刻关键原料的产业化以及光刻胶和周边材料的研发和量产。为行业的发展做贡献。
袁明军博士
个人介绍
长期从事半导体制造和芯片封装用电子化学材料的开发与应用，并负责产品推广和技术服务等工作。2010年毕业于新加坡南洋理工大学，获得金属有机化学专业博士学位。目前任职新加坡忆恩科技(EMK Technologies)总监，广东光华科学技术研究院首席科学家。曾先后担任新加坡星科金鹏高级工艺工程师，新加坡忆恩科技研发首席工程师和产品经理，广东光华科技新材料新技术中心总监。
产品包括：通用酸、碱、有机溶剂，以及显影、退膜、金属蚀刻、清洗、电镀(Cu/Sn)、切割等客制化配方产品。客户包括：新加坡格罗方德(GF)、SSMC、联电(UMC)、X-Fab、Silterra、AMS、Stats ChipPAC(新加坡长电)、德州仪器(TI)、Skyworks、Utac、Unisem等东南亚知名半导体制造厂和封装厂。
陈震军专家
个人介绍
1999年从哈尔滨工程大学电化学专业毕业以后，一直从事常规电子行业、半导体封装行业的电子材料的开发、销售和技术支持，主要涉及电镀工艺、蚀刻和清洗工艺等。 目前任职于得力（Technic）（中国-相关）有限公司，担任半导体部门高级经理。 曾先后担任华晶利达电子有限公司技术质量部部长，罗门哈斯电子材料连接器和引线框架行业华东区经理。
产品包括: 电镀工艺、蚀刻剂、清洗剂、剥离剂，实时在线分析仪器。
客户包括: Qorvo ， Infineon ，STSkyworks，Amkor，NXP及国内主要的封装公司。
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