近日，业内⼈⼠透露，在NAND存储半导体领域，中国企业与美国、韩国等全球领先企业的技术差距已缩⼩⾄两年左右。业内⼈⼠表⽰，“虽然DRAM仍保持五年以上的技术差距，但NAND由于技术门槛较低，差距正在缩⼩，追赶速度更快。虽然还很难说有市场竞争⼒，但不可否认的是，在⼤⼒⽀持下，技术追求的速度加快了。”
长江存储科技有限公司（YMTC）去年年底开始批量⽣产第七代（232层）3D NAND闪存，领先于三星电⼦和SK海⼒⼠。去年7⽉，当长江存储宣布挑战从176层跃升⾄232层量产时，市场对开发200层NAND的可⾏性表⽰怀疑，但长江存储在⼀年内实现了量产。
一些国际产业人士担⼼，随着半导体电路的⼩型化达到极限，中国可能会抓住另⼀个机会来缩⼩技术差距。实现⾼性能的多个芯⽚的⾼效封装被视为克服这些限制的关键，现在⾄关重要。中国大陆在半导体封装领域占据全球第⼆⼤市场份额，仅次于中国台湾，拥有强⼤的⽣态系统。根据市场研究公司IDC的数据，去年，三家中国企业（长电科技、长电、华天）进⼊全球半导体封装（OSAT）企业前⼗名，⽽韩国企业没有上榜。
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