中芯国际利用现有 DUV 设备成功开发出 5 纳米技术，虽仍有许多障碍需克服，但可能已有很大进展。3C 达人「数码闲聊站」在微博上指出，国产 5 纳米芯片，能耗表现比预期强不少。
从目前消息看，华为今年发表下一款麒麟芯片组时，不一定会采用中芯国际 5 纳米技术，目前也还没有最新传闻。
中芯国际 7 纳米制程目前用于华为麒麟 9000S 和麒麟 9010，采用 N+2 实现更高晶体管密度。华为预期今年发表 Mate 70，比起 5 纳米制程，外界预期更可能是采 7 纳米的 N+3 升级技术，比麒麟 9010 拥有更高的晶体管密度。
由于美国贸易制裁，中芯国际无法采购最先进 EUV 设备，但这对下一代晶圆量产非常重要，目前只能仰赖较旧的 DUV 设备推进制程，但也使成本上升不少。据悉，在相同曝光技术下，中芯国际 5 纳米晶圆成本将比台积电高 50%，因为受良率、耗时、产能等因素。外媒 WCCFtech 指出，除非中芯国际透过各种「试验和错误」来提高良率，否则华为采用的成本将太高。