三星电子组建了一个新的工作组 (TF) 团队来推进极紫外 (EUV) 技术。它被分析为提高成品率的一项措施，这是超精细半导体制造如3nm（纳米，十亿分之一米）代工中的一个问题。另一方面，SK海力士在今年的重组中解散了EUV TF，业界的注意力集中在两家公司在下一代技术方面的组织运作差异上。
据业内人士12月26日透露，三星电子通过年终重组，组建了全球制造基础设施总经理旗下的“EUV Synergy TF”。EUV Synergy TF 由铸造制造技术中心组织。然而，三星电子半导体（DS）部门负责管理存储器和代工量产线中使用的所有 EUV 设施。
目标是最大限度地提高ASML独家供应的2000亿韩元曝光机、以及东京电子的EUV轨道设备以及曝光机中使用的各种材料和组件的生产率。据了解，三星电子目前在其华城和平泽工厂拥有30多台EUV曝光机。
EUV 曝光是一种利用称为 EUV 的光将半导体电路印刷在晶圆上的技术。EUV 光的波长为 13.5 nm，比现有的氟化氩 (ArF) 光短四分之一，从而可以创建比以前更精细的电路。然而，这种光具有难以被大多数物体吸收的特性。EUV技术越先进，在与台积电、英特尔、美光等全球半导体公司的技术竞争中就越具有优势。
三星电子于 2019 年在全球首次将 EUV 引入代工流程。不过，三星在近期争夺包括EUV技术在内的微工艺的争夺战中表现并不好。就10纳米级第六代DRAM和3纳米以下代工厂而言，他们面临着必须在短时间内提高与竞争对手相比较低的良率的情况。三星管理层被解释为成立了一个独立的组织，因为他们认为 EUV 工艺效率是提高良率的关键因素。
另一方面，SK海力士通过改变与三星电子不同的EUV组织而引起关注。SK海力士在今年的重组中决定解散EUV TF，并将其转移到未来技术研究院。SK海力士的EUV TF于2019年组织。去年，分散在各业务部门和未来技术研究院的人员全部并入EUV TF，并作为常设机构运作。
SK海力士于2021年首次开始将EUV应用于10纳米第四代DRAM。据了解，该TF在EUV应用于当前第6代DRAM开发中发挥了重要作用。目前，该公司已在利川M16工厂安装了10多台EUV设备。据悉，SK海力士未来技术研究院将重点准备引进下一代EUV曝光机Hi-NA设备。SK海力士的Hi-NA设备预计最早将于明年下半年首次推出。