韩国媒体中央日报（Korea JoongAng Daily）报导，包括三星电子和台积电在内的主要晶片制造商竞相生产基于新制造技术的高性能晶片，在半导体行业低迷的情况下保持竞争力。最先进的晶片制造技术是3奈米，去年6月三星电子成为全球第一家量产3奈米的公司。台积电在2奈米取得突破，也将采GAA技术并于2023~2024年投产。
生产先进晶片的竞争将归结为每家公司的技术，尽管在全球电子产品需求疲软情况下出现了自2009年以来最糟糕的第1季收益报告，但台积电和三星仍然保持乐观。
三星电子设备解决方案首席执行长Kyung Kye-hyun表示，计划通过加大对晶圆研发的投资来增强在晶片业的竞争优势。三星在第1季投资创纪录的6.58兆韩元用于研发，并在晶片制造基础设施上投资了创纪录的10.7兆韩元。
台积电今年计划在研发方面投资约8.7兆韩元，增长20%。该公司将在今年第2季之前在新竹科学园区建立一个拥有约8000名员工的新研发中心，以开发先进晶片。
三星电子和台积电正迈向下一步，投入数十亿美元生产密度更高、效能更强的晶片三星电子晶圆代工部副总裁Jeong Ki-bong在最近的电话会议上表示，第一代3奈米晶片的生产良率已经稳定，第二代3奈米制造正在进行中。
三星电子明年将生产第二代3奈米晶片，2025年生产2奈米，2027年生产1.4奈米。台积电计划在明年下半年和2月生产增强型3奈米晶片N3E。三星率先在晶片制造中实施了一种新的电晶体GAA技术。
GAA技术提高了晶片的电晶体管密度并提高能效，与广泛使用的finFET技术相比，该设计允许更多扩展和灵活的电流流过电晶体管栅极的通道。台积电将 finFET 技术用于3奈米晶片，在2奈米取得突破，也将采GAA技术并于2023~2024年投产。
台积电在2023年北美技术研讨会上介绍先进晶片制造路线图，商展示了N3P，这是一种增强的3奈米工艺，可提供更好的功率、性能和密度，N3X为一种为高性能计算应用量身定制工艺，以及N3AEs用于汽车应用的晶片。台积电表示，签署了一些大牌客户，如辉达、高通、AMD和联发科。