韩国DRAM产业正受到中国后来者的猛烈追击。
尽管在DDR5和LPDDR5X（低功耗DRAM）等尖端领域仍存在巨大技术差距，但在中国DDR4和LPDDR4等传统产品的生产已经扩大。
如果中国迅速扩大DRAM出货量，三星电子、SK海力士等现有公司的销售额和盈利能力将不可避免地下降。事实上，三星电子在最近公布的第三季度临时业绩数据中提到“由于中国内存公司存储产品供应增加而导致业绩下滑”。
三星电子正在专注于“1b DRAM（第五代10纳米DRAM）”作为克服这种情况的方法。这款DRAM是三星电子为了弥补上一代产品1a DRAM低迷状况而精心开发的存储器。
三星电子去年5月开始量产16Gb（千兆位）1b DDR5，随后于9月成功开发32Gb 1b DRAM，产能预计也将迅速扩大。目前正在进行投资，三星以期在今年年底前将 1b DRAM 产能扩大至每月 10 万片。
一位业内人士解释说，“三星电子对相关问题也很感兴趣，甚至向合作伙伴询问中国DRAM制造公司的动向，这也是他们目前急于转向1b DRAM工艺的原因之一。”
1b DRAM之所以对三星电子更为重要，是因为AI产业的扩张。三星电子的32Gb DRAM是一款以服务器市场为主要目标开发的产品，旨在制造无需TSV（通过硅电极）工艺的128GB模块。
在现有的内存行业中，要生产 128GB 模块，必须通过 TSV 连接两个 16Gb DRAM 芯片来创建封装，省略这道工序可显着降低制造成本，并将功耗降低约10%。
可以看出，作为内存竞争力核心的良品率已经提升到了相对稳固的水平。据说截至今年第三季度末，三星电子1b DRAM的平均良率已超过60%。
具体来看，16Gb产品的良率较高，而32Gb产品的良率尚未达到60%的水平。虽然低于DRAM量产的理想良率（80-90%），但评估与年初至中期相比，成功提高了良率。
然而，三星电子的 1b DRAM 被排除在 HBM（高带宽内存）路线图之外这一事实被指出是一个限制。三星电子在 HBM3 和 HBM3E 中使用 1a DRAM。考虑到竞争对手 SK 海力士和美光在 HBM3E 中使用 1b DRAM，三星明显落后了一代。
相反，对于计划于明年底量产的HBM4，三星电子计划应用下一代1c DRAM。可以看作是一种最大化性能的策略，但从技术角度来看，目前观察到1b DRAM应用于HBM的可能性非常低。
一位知情人士表示，“1b DRAM从设计时就没有考虑HBM应用，因此目前的计划中很难针对HBM进行修改，我们总体上专注于提高DRAM良率。”